「神経系/総論/膜電位の変化/膜電位関連の用語」の版間の差分
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細胞膜内には陰性の静止膜電位が発生しています。刺激を受けると陰性電位が減少します。このことを脱分極といいます。脱分極により膜電位がある程度まで減少すると、活動電位とよばれる能動的な電位が膜に生じます。活動電位に移行する膜電位を閾値、あるいは閾電位、または発火レベルといいます。 | 細胞膜内には陰性の静止膜電位が発生しています。刺激を受けると陰性電位が減少します。このことを脱分極といいます。脱分極により膜電位がある程度まで減少すると、活動電位とよばれる能動的な電位が膜に生じます。活動電位に移行する膜電位を閾値、あるいは閾電位、または発火レベルといいます。 | ||
活動電位の特徴は、急速な脱分極とovershootです。overshootとは、細胞膜内外の極性が入れ替わることで、細胞膜内が陽性になります。overshoot後、再び陰性電位が急速に増加し、活動電位は終了し、静止膜電位に戻ります。この過程を再分極といいます。 | 活動電位の特徴は、急速な脱分極とovershootです。overshootとは、細胞膜内外の極性が入れ替わることで、細胞膜内が陽性になります。overshoot後、再び陰性電位が急速に増加し、活動電位は終了し、静止膜電位に戻ります。この過程を再分極といいます。 | ||
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神経細胞の静止膜電位(の絶対値)が減少し、神経細胞が活動に向かう過程を {~過分極 | 神経細胞の静止膜電位(の絶対値)が減少し、神経細胞が活動に向かう過程を {~過分極~=脱分極} という。 | ||
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神経細胞の静止膜電位(の絶対値)が減少し、神経細胞が活動に向かう過程を {~過分極~=脱分極} という。 | |||
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神経細胞膜は、刺激されると {~過分極 | 神経細胞膜は、刺激されると {~過分極~=脱分極} する。 | ||
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膜電位が発火レベル(閾電位、閾値)まで脱分極すると、活動電位が発生 {=する~しない} 。 | |||
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膜電位が発火レベル(閾電位、閾値)まで脱分極すると、活動電位が発生 {=する~しない} 。 | |||
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膜電位が静止膜電位から少しでも脱分極すると、活動電位は必ず発生する。{~正~=誤} | |||
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神経細胞が刺激されてovershootが起こると、電気的極性が入れかわり、細胞膜内が {=陽性~陰性} になる。 | |||
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overshootにひきつづき、膜電位は静止膜電位へ向けて {~脱~=再} 分極する。 | |||
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overshootにひきつづき、膜電位は静止膜電位へ向けて {~脱 | overshootにひきつづき、膜電位は静止膜電位へ向けて {~脱~=再} 分極する。 | ||
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神経細胞膜電位の*印の変化は {=脱分極 | 神経細胞膜電位の*印の変化は {=脱分極~再分極} である。 | ||
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神経細胞膜電位の*印の変化は {~脱分極 | 神経細胞膜電位の*印の変化は {~脱分極~=再分極} である。 | ||
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神経細胞膜電位の*印の部分は {~活動電位 | 神経細胞膜電位の*印の部分は {~活動電位~=静止膜電位~overshoot~閾値(閾電位、発火レベル) } である。 | ||
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神経細胞膜電位の*印の部分は {~静止膜電位 | 神経細胞膜電位の*印の部分は {~静止膜電位~閾値(閾電位、発火レベル) ~=活動電位~overshoot} である。 | ||
[[画像:04564.jpg|200px|none]] | [[画像:04564.jpg|200px|none]] | ||
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神経細胞膜電位の*印の部分は {~静止膜電位 | 神経細胞膜電位の*印の部分は {~静止膜電位~閾値(閾電位、発火レベル) ~=overshoot~活動電位} である。 | ||
[[画像:04565.jpg|200px|none]] | [[画像:04565.jpg|200px|none]] | ||
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神経細胞膜電位の*印のレベルは {=閾値(閾電位、発火レベル) | 神経細胞膜電位の*印のレベルは {=閾値(閾電位、発火レベル) ~overshoot~静止膜電位~活動電位} である。 | ||
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2024年3月14日 (木) 12:52時点における最新版
細胞膜内には陰性の静止膜電位が発生しています。刺激を受けると陰性電位が減少します。このことを脱分極といいます。脱分極により膜電位がある程度まで減少すると、活動電位とよばれる能動的な電位が膜に生じます。活動電位に移行する膜電位を閾値、あるいは閾電位、または発火レベルといいます。
活動電位の特徴は、急速な脱分極とovershootです。overshootとは、細胞膜内外の極性が入れ替わることで、細胞膜内が陽性になります。overshoot後、再び陰性電位が急速に増加し、活動電位は終了し、静止膜電位に戻ります。この過程を再分極といいます。
Challenge Quiz
神経細胞の静止膜電位(の絶対値)が減少し、神経細胞が活動に向かう過程を 過分極 脱分極 という。
神経細胞の静止膜電位(の絶対値)が減少し、神経細胞が活動に向かう過程を 過分極 脱分極 という。
神経細胞膜は、刺激されると 過分極 脱分極 する。
膜電位が発火レベル(閾電位、閾値)まで脱分極すると、活動電位が発生 する しない 。
膜電位が発火レベル(閾電位、閾値)まで脱分極すると、活動電位が発生 する しない 。
膜電位が静止膜電位から少しでも脱分極すると、活動電位は必ず発生する。 正 誤
神経細胞が刺激されてovershootが起こると、電気的極性が入れかわり、細胞膜内が 陽性 陰性 になる。
overshootにひきつづき、膜電位は静止膜電位へ向けて 脱 再 分極する。
overshootにひきつづき、膜電位は静止膜電位へ向けて 脱 再 分極する。
神経細胞膜電位の*印の変化は 脱分極 再分極 である。
神経細胞膜電位の*印の変化は 脱分極 再分極 である。
神経細胞膜電位の*印の部分は 活動電位 静止膜電位 overshoot 閾値(閾電位、発火レベル) である。
神経細胞膜電位の*印の部分は 静止膜電位 閾値(閾電位、発火レベル) 活動電位 overshoot である。
神経細胞膜電位の*印の部分は 静止膜電位 閾値(閾電位、発火レベル) overshoot 活動電位 である。
神経細胞膜電位の*印のレベルは 閾値(閾電位、発火レベル) overshoot 静止膜電位 活動電位 である。