神経系/総論/膜電位の変化/膜電位関連の用語のソースを表示

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細胞膜内には陰性の静止膜電位が発生しています。刺激を受けると陰性電位が減少します。このことを脱分極といいます。脱分極により膜電位がある程度まで減少すると、活動電位とよばれる能動的な電位が膜に生じます。活動電位に移行する膜電位を閾値、あるいは閾電位、または発火レベルといいます。

活動電位の特徴は、急速な脱分極とovershootです。overshootとは、細胞膜内外の極性が入れ替わることで、細胞膜内が陽性になります。overshoot後、再び陰性電位が急速に増加し、活動電位は終了し、静止膜電位に戻ります。この過程を再分極といいます。



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<GIFT>
::チャレンジクイズ::


//LEVEL:2 
//RAND 
神経細胞の静止膜電位(の絶対値)が減少し、神経細胞が活動に向かう過程を　{~過分極~=脱分極} という。 


//LEVEL:3 
//RAND 
神経細胞膜は、刺激されると　{~過分極~=脱分極} する。 


//LEVEL:3 
//RAND 
膜電位が発火レベル(閾電位、閾値)まで脱分極すると、活動電位が発生　{=する~しない} 。 


//LEVEL:3 
//RAND 
膜電位が静止膜電位から少しでも脱分極すると、活動電位は必ず発生する。{~正~=誤} 


//LEVEL:3 
//RAND 
神経細胞が刺激されてovershootが起こると、電気的極性が入れかわり、細胞膜内が　{=陽性~陰性} になる。 


//LEVEL:2 
//RAND 
overshootにひきつづき、膜電位は静止膜電位へ向けて　{~脱~=再} 分極する。 


//LEVEL:2 
//RAND 
神経細胞膜電位の*印の変化は {=脱分極~再分極} である。 
[[画像:04561.jpg|200px|none]]


//LEVEL:3 
//RAND 
神経細胞膜電位の*印の変化は {~脱分極~=再分極} である。
[[画像:04562.jpg|200px|none]]


//LEVEL:3 
//RAND 
神経細胞膜電位の*印の部分は {~活動電位~=静止膜電位~overshoot~閾値(閾電位、発火レベル) } である。
[[画像:04563.jpg|200px|none]]


//LEVEL:2 
//RAND 
神経細胞膜電位の*印の部分は {~静止膜電位~閾値(閾電位、発火レベル) ~=活動電位~overshoot} である。
[[画像:04564.jpg|200px|none]]


//LEVEL:3 
//RAND 
神経細胞膜電位の*印の部分は {~静止膜電位~閾値(閾電位、発火レベル) ~=overshoot~活動電位} である。
[[画像:04565.jpg|200px|none]]


//LEVEL:3 
//RAND 
神経細胞膜電位の*印のレベルは {=閾値(閾電位、発火レベル) ~overshoot~静止膜電位~活動電位} である。
[[画像:04566.jpg|200px|none]]
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